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28日在中国陕西西安举行了三星中国半导体存储器

  韩联社3月28日报道,三星电子表示,28日在中国陕西西安举行了三星中国半导体存储器二期生产线月,三星电子与陕西省省政府签署了将在3年内投资70亿美元(约合7万8000亿韩元)用于投资西安半导体二期生产线谅解备忘录(MOU)。工程将于明年完工,此后,将引进半导体生产设备,并开始批量生产V-NAND。V-NAND与现有的平面NADA闪存不同,是用三维结构制成的NAND闪存,容量较大。三星电子代表理事金基南在致词中表示,三星将通过西安二期生产线的成功运营,向顾客提供最尖端的半导体存储器产品,并为其提供差别化解决方案,为全球IT市场发展做出贡献。陕西省委书记胡和平、省长刘国中、韩国驻华大使卢英敏、韩国驻西安总领馆总领事李康国、三星电子代表理事金基南等出席了开工仪式。

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